隨著全球雲端巨頭持續擴大資本支出，AI伺服器帶動資料中心用電需求快速攀升，市場焦點轉向高效率電源管理、高密度供電架構，以及碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等第三代半導體材料。為協助投資人掌握電力基建升級帶來的投資契機，群益金鼎證券攜手玉山投信舉辦「決戰AI投資新賽道論壇」，深入解析次世代電源材料、供電架構及產業趨勢，引導投資人布局具備長期競爭優勢的關鍵企業。

針對全球功率半導體產業的結構性轉型，群益投顧資深研究員黃鵬睿指出，傳統矽基元件難滿足高頻、高壓與高溫要求，促使碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)等寬能隙(WBG)材料進入爆發成長期。此轉型由電動車800V高壓平台與 AI資料中心對能源密度的極致需求所驅動，預期SiC與GaN市場將以24%至26%的極高年複合成長率攀升。