随著全球云端巨头持续扩大资本支出，AI伺服器带动资料中心用电需求快速攀升，市场焦点转向高效率电源管理、高密度供电架构，以及碳化矽(SiC)、氮化镓(GaN)等第三代半导体材料。为协助投资人掌握电力基建升级带来的投资契机，群益金鼎证券携手玉山投信举办「决战AI投资新赛道论坛」，深入解析次世代电源材料、供电架构及产业趋势，引导投资人布局具备长期竞争优势的关键企业。

针对全球功率半导体产业的结构性转型，群益投顾资深研究员黄鹏睿指出，传统矽基元件难满足高频、高压与高温要求，促使碳化矽(SiC)与氮化镓(GaN)等宽能隙(WBG)材料进入爆发成长期。此转型由电动车800V高压平台与 AI资料中心对能源密度的极致需求所驱动，预期SiC与GaN市场将以24%至26%的极高年复合成长率攀升。