DRAM合约价下跌压力未除 记忆体开高走低
【中央社新竹十八日电】 2019/07/19

动态随机存取记忆体(DRAM)现货价近日因日韩贸易战疑虑展开反弹走势,但因合约价下跌压力未除,南亚科等记忆体族群今天股价纷纷开高走低。

日本四日起加强管制光阻剂等三项关键电子材料出口南韩,市场高度关注三星(Samsung)与SK海力士(Hynix)两大记忆体厂营运是否受到影响。

继储存型快闪记忆体(NAND Flash)报价传出上涨一成後,DRAM现货价也出现强劲反弹走势,涨幅也达一成水准。

南亚科总经理李培瑛先前认为,随著旺季需求升温,DRAM现货价可望抢先反弹,只是合约价恐持续走跌。

市调机构集邦科技预期,DRAM供应商库存水位高於三个月,合约价持续走跌,未见反转向上迹象,日本管制材料出口南韩事件造成DRAM供需出现结构性反转可能性低。