龙华科大林宗新副教授获颁IIP国际杰出发明家国光奖章
【记者王志诚、周贞伶/综合报导】 2024/04/19

▲第十九届IIP全体获奖人晋见总统并合影。(图:总统府提供)
龙华科技大学半导体工程系林宗新副教授热衷发明,曾於二0一七年、二0一八年及二0一九年荣获克罗埃西亚INOVA国际发明展金牌,亦於二0一七年、二0一八及二0二三年三度获得马来西亚ITEX国际发明展金牌,二0一七年迄二0二二年均获台湾国际发明得奖协会颁发国际杰出发明家学术国光奖章,二0二三年更获颁第十九届IIP国际杰出发明家国光奖章,蔡英文总统日前也接见IIP全体获奖人,并肯定其杰出的发明贡献!

国际杰出发明家奖是由台湾国际发明得奖协会主办,学术国光奖章只限学术及研发界人士申请,申请资格须符合曾拥有助理教授以上三年资历,且至少拥有五件国内外专利,依评分审核标准合计总分数达七百分以上者,或曾获颁国际杰出发明家博学博士荣衔者,能够上榜实属不易。

龙华科大林宗新副教授专长是高分子科学、半导体及光电材料制造技术、材料分析技术、生物科技、创新与创业等领域,拥有七项专利,更是国际各大发明展得奖常胜军,历次参展共斩获二十六金、四银傲人纪录。

林宗新副教授表示,他以《作为缓冲层之铜镀层及其制作方法》、《具有良好导热性与照度的铜镀层及其制备方法》以及《抗菌铜镀膜及其制备方法》等三项发明,於二0一七年、二0一八年及二0一九年克罗埃西亚INOVA国际发明展荣获金牌;相关作品也在二0一七、二0一八及二0二三年三度获得马来西亚ITEX国际发明展金牌。

林宗新说,铜虽然导电性佳,却易与矽基板起化学反应而使其应用受阻,而他的溅镀铜合金薄膜研究,则考量在不使用阻障层的情况下,改将微量物质掺杂於铜镀层中,藉此提升铜的稳定性。而这项发明可运用在铜导线、IC晶圆与半导体封装上缓冲层、LED元件散热层与抗菌医疗器材上,相较於国内外大多使用溅镀铜合金薄膜阻障层制程,他的研究为无阻障金属化制程,具备可简化制程、降低制造成本特点,期待日後与厂商合作,进入实际制程应用。

龙华科大校长葛自祥表示,学校鼓励师生积极参加国际发明竞赛累积经验,展现扎实技术与雄厚研发实力。同时持续与业界交流,促进专利商品化,进而创造产品商用价值,该校半导体工程系致力於半导体技术实务人才培育。发展主轴为功率元件、半导体制程、半导体材料、IC封装与测试等半导体领域,以实作融入理论课程并和产业合作,让学子具备半导体产业中游元件制程与下游封装测试专业的知识与技能,毕业後成为半导体相关产业需求的热门人才。